IGBT驅動電源
半導體驅動電（diàn）源（yuán）係列（liè）（IGBT/SiC/GaN），該係列具備超小隔離電容，響應速度塊，內部采用了（le）非對稱式電壓輸出（chū）方式，能（néng）夠有效減小半導體器件的驅動損耗。具（jù）備高效（xiào）率、輸（shū）入（rù）電壓寬範圍、輸出正負雙向電壓、集成（chéng）短路保護等多種保護（hù）的特點。
產品特點：
1、隔離電壓：5000VAC（加強絕緣）
2、工作溫度範圍: -40℃ to +105℃
3、低漏電流
半導體驅動電（diàn）源（yuán）係列（liè）（IGBT/SiC/GaN），該係列具備超小隔離電容，響應速度塊，內部采用了（le）非對稱式電壓輸出（chū）方式，能（néng）夠有效減小半導體器件的驅動損耗。具（jù）備高效（xiào）率、輸（shū）入（rù）電壓寬範圍、輸出正負雙向電壓、集成（chéng）短路保護等多種保護（hù）的特點。
產品特點：
1、隔離電壓：5000VAC（加強絕緣）
2、工作溫度範圍: -40℃ to +105℃
3、低漏電流